一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法

摘要

本发明公开了一种采用频率噪声分析位移损伤缺陷能级的方法，当高能核辐射与半导体材料相互作用时,会将一些原子从其原始的位置转移到半导体晶格中。这种辐射诱导的在晶体中形成位移损伤的现象可能会导致设备性能的变化。而器件中的1/f噪声与缺陷的分布及能级变化密切相关，采用合适的噪声模型，能够提取电活性陷阱的浓度、空间位置和能量分布等关于器件可靠性相关的大量信息，从而获得位移损伤缺陷能级的相关数据。