法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-09-24
实质审查的生效 IPC(主分类):G01R31/26 申请日:20190606
实质审查的生效
2019-08-30
公开
公开
机译: 降低了位移缺陷密度的改进的半导体传感器结构及其相关方法,采用了一种技术(宽高比陷阱)
机译: 一种用于减少由压力波引起的气泡形成的代理商以及一种用于实现上述方法的减小压力波产生装置的减少高能压力波传播领域中的表面损伤和缺陷的方法
机译: 一种用于减少由压力波引起的气泡形成的代理商以及一种用于实现上述方法的减小压力波产生装置的减少高能压力波传播领域中的表面损伤和缺陷的方法