公开/公告号CN100452346C
专利类型发明授权
公开/公告日2009-01-14
原文格式PDF
申请/专利权人 精工爱普生株式会社;
申请/专利号CN03122632.9
申请日2003-04-16
分类号H01L21/768(20060101);H05K3/10(20060101);B05D5/12(20060101);
代理机构11021 中科专利商标代理有限责任公司;
代理人王玮
地址 日本东京
入库时间 2022-08-23 09:01:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2013-06-05
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20090114 终止日期:20120416 申请日:20030416
专利权的终止
2009-01-14
授权
授权
2004-01-07
实质审查的生效
实质审查的生效
2003-10-29
公开
公开
机译: 托架,其识别装置和电子设备,液晶显示装置的制造方法,有机EL装置的制造方法,电子发光装置的制造方法,PDP装置的制造方法,制造方法的制造方法,电子制造装置的制造方法,电子制造装置的制造方法,电子制造装置的制造方法,有机EL的制造方法,间隔形成方法,金属线形成方法,透镜形成方法,抗蚀剂形成方法和光扩散元素形成方法
机译: 待校准的部件,配备有部件的头单元和电子设备,液晶显示装置的制造方法,有机EL装置的制造方法,电子发射装置的制造方法,制造方法,制造装置的制造方法,制造方法装置,彩色滤光片的制造方法,有机EL的制造方法,间隔形成方法,金属线形成方法,透镜形成方法,抗蚀剂形成方法和光扩散器形成方法
机译: 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法,用于形成绝缘膜的涂布液,其制备方法,用于半导体器件的绝缘膜的形成方法以及用于制造该半导体膜的半导体器件的形成方法-绝缘涂层,生产流体的过程,形成用于半导体设备的绝缘涂层的过程,以及通过应用上述过程来生产半导体设备的过程)