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公开/公告号CN112376031B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-07-13
原文格式PDF
申请/专利权人 中国科学院兰州化学物理研究所;
申请/专利号CN202011356156.5
发明设计人 张俊彦;贾倩;张斌;杨生荣;强力;
申请日2020-11-27
分类号C23C14/48(20060101);C08J7/12(20060101);C08L83/04(20060101);
代理机构62201 兰州智和专利代理事务所(普通合伙);
代理人张英荷
地址 730000 甘肃省兰州市城关区天水中路18号
入库时间 2022-08-23 12:06:55
机译: 加氢非晶态碳薄膜的表面处理的注射模及其表面处理方法,能够通过等离子体渗氮过程改善注射模的表面硬度,并在整个过程中得以实现在非润滑条件下通过粗糙度控制对金属材料的优异粘合力和低摩擦系数
机译: 通过对低温等离子体进行改性以激发含碳和/或含硅气体,然后在反应室中将碳层沉积在医用植入物上,形成含硅碳层
机译: 具有低摩擦表面的硅橡胶固化体的制备方法以及可研磨型硅橡胶组合物
机译:使用低能离子注入和电子束退火制备表面磁性纳米团簇
机译:等离子体源离子注入与直流溅射相结合的方法在管内表面制备含银的类金刚石碳膜
机译:电子束在表面放电等离子体上沉积硬碳膜的研究:新型硬碳膜的制备
机译:在太赫兹光谱的电子束上通过电子束在金属光栅上的高模脚表面等离子体极化子(SSP)的激发
机译:研究磁等离子体离子氮化产生的表面性能,以提高耐磨性。
机译:探索团簇离子注入的一种制备方法:从超薄碳膜到石墨烯
机译:快速激发金属纳米团簇中的表面和体积等离子体 电子
机译:等离子体中电子束激发的表面模式观察