一种采用磁控溅射制备荧光碳化硅薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种荧光碳化硅薄膜的制备方法。一种采用磁控溅射制备荧光碳化硅薄膜的方法，其特征是它包括如下步骤：(1)选择制备材料：选择单晶硅为衬底材料，选择碳化硅为溅射靶材，选择多孔阳极氧化铝为模板；(2)制备生长模板：将多孔阳极氧化铝模板转移到单晶硅衬底材料上，得到生长模板；(3)将生长模板送入磁控溅射器的真空腔内，溅射靶材选择碳化硅；(4)加温、沉积：单晶硅衬底材料的温度保持在25℃至600℃，升温速率为20摄氏度/分钟，单晶硅衬底材料的温度保持时间是1分钟至120分钟；多孔阳极氧化铝模板上生长碳化硅薄膜；得到荧光碳化硅薄膜。该方法具有制备工艺简单，镀膜速度快，膜层致密，附着性，重复性好等特点，并实现了蓝光、黄光、红光的全荧光发光。