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一种超级电容器电极材料Ni掺杂CoP3/泡沫镍的制备方法

摘要

本发明是一种用于超级电容器电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍的制备方法。并首次将CoP3应用于超级电容器,属于超级电容器材料的合成与制备技术领域。本发明采用低温磷化的工艺制备应用于超级电容器的电极材料Ni掺杂的CoP3/泡沫镍具有合成过程简单、易控制、成本低、比容量高的优点。该发明制备的应用于超级电容器的Ni掺杂CoP3/泡沫镍电极材料具有分级结构和较大的比表面积,有利于缩短离子的传输路径,减小电极材料和电解液间的界面阻力,提供更多的活性位点,并且在碱性电解质中,能提供较高的比容量,在电化学储能方面显示出极大的潜力。

著录项

  • 公开/公告号CN110767466B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201910949326.1

  • 申请日2019-10-08

  • 分类号H01G11/30(20130101);H01G11/86(20130101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人陈一鑫

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 12:04:50

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