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一种优化的闪存固态盘加热方法及闪存固态盘

摘要

本发明公开了一种优化的闪存固态盘加热方法及闪存固态盘,属于闪存存储设备领域。包括:记录闪存固态盘中各闪存块寿命末期的平均驻留时间DTavg,根据闪存块平均驻留时间,计算闪存块实际可靠性RBER;比较各闪存块的RBER和CBER的大小,按照DTavg值的大小顺序加入对应列表中的合适位置;当闪存固态盘到达使用寿命终点时,只对短驻留时间的闪存块列表中的闪存块进行加热操作,对长驻留时间的闪存块列表中的闪存块不进行加热操作。本发明通过考虑闪存块的平均驻留时间对闪存可靠性恢复的影响,能够在不影响固态硬盘的可靠性的情况下,减少了一部分不必要的高延迟、高能耗的加热操作,提升了固态硬盘加热的效率。

著录项

  • 公开/公告号CN111459409B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-07-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN202010205061.7

  • 发明设计人 崔金华;刘伟光;刘俊伟;杨天若;

    申请日2020-03-22

  • 分类号G06F3/06(20060101);

  • 代理机构42201 华中科技大学专利中心;

  • 代理人李智

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号

  • 入库时间 2022-08-23 12:03:39

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