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相互交叉芯片电容器组件

摘要

一种相互交叉芯片电容器(IDC)组件8,该组件包括:具有半导体块的IDC10以及基板60,该半导体块具有顶部12、与顶部12相对的底部14、在顶部12和底部14之间延伸的多个侧壁部16、18、20、22,以及位于侧壁部16、18、20、22上的多个端子32、34、36;基板60具有顶部61,顶部61上有多个大体上平坦的竖直延伸非导电邻接表面165、213,IDC10的16、18、20、22与所述多个邻接表面165、213中的至少一些邻接接合。

著录项

  • 公开/公告号CN103996532B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 德克萨斯仪器股份有限公司;

    申请/专利号CN201410051754.X

  • 申请日2014-02-14

  • 分类号H01G2/02(20060101);H01G2/06(20060101);

  • 代理机构11245 北京纪凯知识产权代理有限公司;

  • 代理人赵蓉民;李英

  • 地址 美国德克萨斯州

  • 入库时间 2022-08-23 12:02:04

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