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包括激活掺杂剂的制造方法和具有陡峭结的半导体装置

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摘要

晶格空位在半导体层(700)的与工艺表面(701)直接邻接的预处理区(710)中生成。掺杂剂至少注入到所述预处理区(710)中。通过用激光束(850)照射所述工艺表面(701)，来加热所述半导体层(700)的熔化区(712)，激活至少在所述熔化区(712)中的注入的掺杂剂。

公开/公告号CN107680905B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-25

原文格式PDF
申请/专利权人英飞凌科技股份有限公司;
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申请/专利号CN201710652352.9
发明设计人 A·布雷梅塞尔;H-J·舒尔策;H·舒尔策;W·舒斯特雷德尔;
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申请日2017-08-02
分类号H01L21/268(20060101);H01L21/22(20060101);H01L29/06(20060101);H01L29/861(20060101);H01L29/739(20060101);
代理机构72002 永新专利商标代理有限公司;
代理人郭毅
地址德国瑙伊比贝尔格市
入库时间 2022-08-23 12:01:58

1. 包括激活掺杂剂的制造方法和具有陡峭结的半导体装置 [P] . 中国专利： CN107680905B . 2021.06.25
2. 包括激活掺杂剂的制造方法和具有陡峭结的半导体装置 [P] . 中国专利： CN107680905A . 2018-02-09
3. METHOD FOR MANUFACTURING P-TYPE GAN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR ACTVATING P-TYPE DOPANT CONTAINED IN GAN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR, GAN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE, AND GAN-BASED COMPOUND SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE [P] . 韩国专利： KR20110096897A . 2011-08-31

机译：制造p型基于gan的复合半导体的方法，激活包含在基于gan的复合半导体中的p型掺杂剂的方法，基于gan的复合半导体装置以及基于gan的复合半导体光导体
4. Gate electrode dopant activation method for semiconductor manufacturing including a laser anneal [P] . 美国专利： US7078302B2 . 2006-07-18

机译：用于包括激光退火的半导体制造的栅电极掺杂剂激活方法
5. Semiconductor component comprising a dopant region in a semiconductor body and a method for producing a dopant region in a semiconductor body [P] . 美国专利： US8859409B2 . 2014-10-14

机译：包括在半导体主体中的掺杂剂区域的半导体组件以及用于在半导体主体中制造掺杂剂区域的方法