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基于离子注入的球面电极微半球谐振陀螺仪的制备方法

摘要

本发明公开基于离子注入的球面电极微半球谐振陀螺仪的制备方法,包括以下步骤:在P型双抛硅片表面生长氮化硅薄膜,通过光刻与刻蚀形成各向同性腐蚀掩膜;在P型双抛硅片腐蚀出半球腔,去除氮化硅薄膜;氧离子注入形成埋氧层;在半球腔表面光刻电极图形、引线图形以及PAD图形,在所述图形之外的半球腔进行磷注入形成N型硅;在半球腔表面制备氧化硅层;在半球腔底部制备锚点,并腐蚀锚点部分的氧化硅层;在氧化硅层表面沉积多晶硅薄膜;保留在半球腔内的氧化硅层与与多晶硅薄膜分别构成牺牲层与谐振子;腐蚀牺牲层释放谐振子;制备盖帽进行键合封装,完成球面电极微半球谐振陀螺仪的制备;在制备过程中不损伤电极和球壳,且工艺简单、易于实现。

著录项

  • 公开/公告号CN109115243B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北方电子研究院安徽有限公司;

    申请/专利号CN201811118555.0

  • 申请日2018-09-20

  • 分类号G01C25/00(20060101);

  • 代理机构34113 安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙);

  • 代理人陈俊

  • 地址 233000 安徽省蚌埠市经济开发区汤和路2016号

  • 入库时间 2022-08-23 12:01:44

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