公开/公告号CN108269892B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-22
原文格式PDF
申请/专利权人 TCL科技集团股份有限公司;
申请/专利号CN201611259516.3
申请日2016-12-30
分类号H01L33/04(20100101);H01L33/00(20100101);H01L33/26(20100101);
代理机构44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王永文;刘文求
地址 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦
入库时间 2022-08-23 12:00:45
机译: 具有产生量子阱结构的半导体器件和方法的半导体器件以及量子阱结构
机译: 具有包括双势垒层的量子阱结构的半导体器件,采用该半导体器件的半导体激光器以及制造该半导体器件和半导体激光器的方法。
机译: 具有包括双阻挡层的量子阱结构的半导体器件,采用该半导体器件的半导体激光器以及制造该半导体器件和半导体激光器的方法。