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具有量子阱能级结构的合金材料、制备方法及半导体器件

摘要

本发明公开具有量子阱能级结构的合金材料、制备方法及QLED,所述合金材料包含N个在径向方向上依次排布的结构单元,其中N≥1;所述结构单元为径向方向上越向外能级宽度越宽的渐变合金组分结构;相邻的结构单元的能级宽度是不连续的。本发明提供了一种具有从内到外沿径向方向的突变合金组分的新型合金材料,其不仅实现了更高效的发光效率,同时也更能满足QLED器件及相应显示技术对合金材料的综合性能要求,是一种适合QLED器件及显示技术的理想合金材料。

著录项

  • 公开/公告号CN108269892B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 TCL科技集团股份有限公司;

    申请/专利号CN201611259516.3

  • 发明设计人 杨一行;刘政;钱磊;程陆玲;

    申请日2016-12-30

  • 分类号H01L33/04(20100101);H01L33/00(20100101);H01L33/26(20100101);

  • 代理机构44268 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人王永文;刘文求

  • 地址 516006 广东省惠州市仲恺高新区惠风三路17号TCL科技大厦

  • 入库时间 2022-08-23 12:00:45

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