公开/公告号CN100447960C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-31
原文格式PDF
申请/专利权人 自适应等离子体技术公司;
申请/专利号CN200580010638.2
申请日2005-03-29
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人杨生平
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:01:43
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-12-31
授权
授权
2007-05-23
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-03-28
公开
公开
机译: 等离子体源具有低离子通量和高阻抗,并且等离子体室使用同一形状来提高单位线圈的有效长度,并通过使用波形形状单位线圈来降低晶圆边缘的等离子体密度和离子通量
机译: 具有等离子体源线圈的等离子体室以及使用该等离子体室蚀刻晶片的方法
机译: 具有等离子体源线圈的等离子体室以及使用该等离子体室来蚀刻晶片的方法