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公开/公告号CN110034111B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-22
原文格式PDF
申请/专利权人 珠海博雅科技有限公司;
申请/专利号CN201910186817.5
发明设计人 马亮;张登军;查小芳;赵士钰;刘大海;杨小龙;安友伟;李迪;逯钊琦;
申请日2019-03-13
分类号H01L27/02(20060101);
代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;
代理人陈慧华
地址 519080 广东省珠海市唐家湾镇大学路101号清华科技园创业大楼A座A1005-1007单元
入库时间 2022-08-23 12:00:18
机译: CMOS子带隙基准电压源,其工作电源电压小于带隙电压
机译: 带偏置电压的带隙基准电压源电路
机译: 半导体集成电路的版图设计方法,版图设计装置以及版图设计程序
机译:所有CMOS带隙基准电压源的带隙核心和启动电路设计
机译:具有分段补偿的高PSRR带隙基准电压源
机译:具有自动曲率补偿技术的高精度带隙基准电压源
机译:带1V电源的带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:可调带隙:六边形至四角形ZnSe结构转变的模拟证据:具有宽范围可调直接带隙的单层材料(Adv。Sci。12/2015)
机译:4H–SiC中的宽温度范围集成带隙基准电压源
机译:用于器件应用的石墨烯带结构和带隙工程的第一性原理研究。