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具有读出放大器的半导体装置及读出放大器的形成方法

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摘要

本发明提供了一种形成半导体装置的读出放大器的方法，该方法防止位线由于P型杂质的不规则密度而在绝缘夹层上产生的台阶部分彼此跨接，该P型杂质在形成半导体装置的读出放大器时离子注入到P+拾取器区中的绝缘夹层中。半导体装置的产率得到提高。

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-03

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/8238 授权公告日:20090304 终止日期:20160913 申请日:20060913

专利权的终止
2009-03-04

授权

授权
2009-03-04

授权

授权
2007-08-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-08-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2007-07-04

公开

公开
2007-07-04

公开

公开

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1. 具有读出放大器的半导体装置及读出放大器的形成方法 [P] . 中国专利： CN100466230C . 2009.03.04
2. 读出放大器和包括所述读出放大器的半导体存储装置 [P] . 中国专利： CN102054520A . 2011-05-11
3. Semiconductor memory device comprising sense amplifier having P-type sense amplifier and N-type sense amplifiers with different threshold voltages [P] . 美国专利： US7843751B2 . 2010-11-30

机译：半导体存储器件，包括具有P型读出放大器的读出放大器和具有不同阈值电压的N型读出放大器
4. Semiconductor memory having a sense amplifier with load transistors having different load characteristics [P] . 美国专利： US5592427A . 1997-01-07

机译：具有读出放大器的半导体存储器，该读出放大器具有具有不同负载特性的负载晶体管
5. Sense amplifier and driving method thereof, and semiconductor memory device having the sense amplifier [P] . 美国专利： US7924643B2 . 2011-04-12

机译：读出放大器及其驱动方法，以及具有该读出放大器的半导体存储装置