一种纳米级库仑岛结构的制备方法

摘要

本发明公开了一种纳米级库仑岛结构的制备方法，包括：A、在衬底的导电层上涂敷电子抗蚀剂；B、对涂敷的电子抗蚀剂进行前烘；C、对电子抗蚀剂进行电子束直写曝光；D、对曝光后的抗蚀剂进行显影；E、对显影后的电子抗蚀剂进行定影；F、将定影后的电子抗蚀剂作为掩模刻蚀导电层，在导电层上得到纳米级的库仑岛结构；G、对得到的库仑岛结构进行去胶和高温干氧氧化处理，得到更小尺寸的纳米级库仑岛结构。利用本发明，简化了制备工艺，降低了制备成本，提高了制备效率，并提高了制备库仑岛结构的可靠性。本发明提供的制备方法具有与传统CMOS工艺兼容的优点，有利于本发明的广泛推广和应用。