一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件

摘要

本发明公开了一种1550nm波段单光子源的制备方法及单光子源和光学器件，本发明通过在SiC晶圆<0001>面制备氧化硅层；离子注入；沿氧化硅表面与另一带氧化硅介质层的SiC衬底键合；退火剥离，将SiC薄膜转移至SiC衬底上；在SiC薄膜上制备掩膜，去除掩膜图案以露出SiC薄膜部分；V离子注入，再去除掩膜区域；制备C膜，再激活V离子掺杂的方法步骤，将SiC薄膜经离子注入转移至衬底上并制备1550nm通讯波段单光子源，有效克服了当前光子学平台1550nm光源制备困难、单光子源与光学器件集成困难的问题，在SiC平台上得到高均匀性、高质量的1550nm通讯光源，并实现了单光子源与器件同平台集成。