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一种集成电路后仿真方法、装置、电子设备及存储介质

摘要

本申请涉及一种集成电路后仿真方法、装置、电子设备及存储介质,属于集成电路设计技术领域。该方法包括:获取待进行后仿真的集成电路中顶层和各子模块各自仿真所需的包括网表在内的仿真参数,其中,顶层和各个子模块各自对应的网表彼此独立且相互不同;针对每一个子模块,利用该子模块对应的仿真参数对该子模块进行后仿真,得到对应的仿真结果,以及利用顶层对应的仿真参数对顶层进行后仿真,得到顶层的仿真结果。由于顶层和各个子模块在进行后仿真时是基于各自独立的网表进行的,通过将原有整体仿真进行拆分,拆分后各部分可以并行进行仿真,显著提升芯片的后仿真速度,使得可以在芯片流片前充分验证时序功能正确性,从而降低芯片成本。

著录项

  • 公开/公告号CN112100952B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 海光信息技术股份有限公司;

    申请/专利号CN202010963765.0

  • 发明设计人 代开勇;高红莉;陈奎;张宁;潘于;

    申请日2020-09-14

  • 分类号G06F30/33(20200101);G06F30/3312(20200101);G06F30/327(20200101);

  • 代理机构11463 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人蒋姗

  • 地址 300450 天津市滨海新区华苑产业区海泰西路18号北2-204工业孵化-3-8

  • 入库时间 2022-08-23 11:59:43

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