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公开/公告号CN112213609B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-22
原文格式PDF
申请/专利权人 电子科技大学;
申请/专利号CN202011308382.6
发明设计人 伍伟;李岩松;陈勇;
申请日2020-11-20
分类号G01R31/26(20140101);
代理机构51229 成都正华专利代理事务所(普通合伙);
代理人李蕊
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
入库时间 2022-08-23 11:59:42
机译: 用于高压开关的单片接口电路IGBT,具有PNP晶体管,其基极连接到MOS晶体管的漏极,发射极接收电源电压,集电极向开关的控制端子提供电压
机译: 晶体管集电极-发射极击穿电压测量系统-具有受控的可变电压电源和电流发生器,可在示波器上显示
机译:具有低集电极-发射极偏移电压和高电流增益的宽带隙P-SiC-发射极横向异质结双极晶体管的实现:一种使用数值模拟的新提议
机译:一种抑制窄台面IGBT中集电极引起的势垒降低效应的新方法
机译:一种带隙基准中用于补偿基极-发射极电压的改进方法
机译:使用发射极 - 辅助电感器的IGBT关闭集电极电压的估计方法
机译:具有温度补偿集电极电流检测功能的智能IGBT栅极驱动器IC
机译:一种半自动方法用于快速检测头皮脑电图中发作间电压放电的波动事件
机译:通过IGBT栅极 - 发射极电压检测改进的噪声免疫水平移位器Ieice Electronics Express Vol。 15(2018)第9页PP。20180293
机译:测量三极管的集电极 - 发射极饱和电压。