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公开/公告号CN107808902B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 西安电子科技大学;
申请/专利号CN201710813122.6
发明设计人 段宝兴;杨银堂;董自明;
申请日2017-09-11
分类号H01L29/78(20060101);H01L21/336(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构61211 西安智邦专利商标代理有限公司;
代理人胡乐
地址 710071 陕西省西安市太白南路2号
入库时间 2022-08-23 11:59:33
机译: 双扩散金属氧化物半导体元件,具有半导体衬底,该半导体衬底具有两个晶体管区域,分别用于较高和较低的电压
机译: 垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
机译: 兼容的垂直双扩散金属氧化物半导体晶体管和横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
机译:堆叠的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管,其表面衬底具有增强的耗尽效应
机译:具有低集电极-发射极偏移电压和高电流增益的宽带隙P-SiC-发射极横向异质结双极晶体管的实现:一种使用数值模拟的新提议
机译:绝缘体上硅上的横向双扩散金属氧化物半导体的漂移区中的薄层氧化物:一种新型器件结构,可实现可靠的高温功率晶体管
机译:折叠累积横向双扩散晶体管具有低特异性电阻的折叠累积横向双扩散晶体管
机译:硅衬底上宽带隙半导体的异质外延。
机译:具有增强的双栅极和部分P埋层的超低比导通电阻横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
机译:完全拉伸的应变部分硅绝缘体n型 采用局域化的横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管 接触蚀刻停止层
机译:用于描述电场屏蔽的宽带隙半导体中单杂质的模型