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公开/公告号CN110690892B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 郑州轻工业学院;
申请/专利号CN201910919357.2
发明设计人 孙军伟;凌丹;余培照;杨秦飞;李盼龙;郭慧芳;张桢桢;王延峰;王妍;王英聪;黄春;方洁;张勋才;
申请日2019-09-26
分类号H03K19/20(20060101);
代理机构41125 郑州优盾知识产权代理有限公司;
代理人栗改
地址 450002 河南省郑州市金水区东风路5号
入库时间 2022-08-23 11:59:00
机译: 形成基于忆阻器的合金固体Si:Me的方法和基于忆阻器的合金固体Si:Me的结构
机译: 使用忆阻器驱动器(MAD)门的基于忆阻器的分压器
机译: 使用忆阻器驱动器(MAD)门的基于忆阻器的乘法器
机译:完善基于忆阻器的材料含义的逻辑电路设计
机译:基于忆阻器的新兴逻辑电路设计方法:综述
机译:带忆阻器的逻辑电路
机译:利用忆阻器比例逻辑的新型混合CMOS忆阻器逻辑电路
机译:使用均衡器设计节能的亚阈值逻辑电路,使用忆阻器设计非易失性存储电路。
机译:能够自编程的混合纳米忆阻器/晶体管逻辑电路
机译:基于忆阻器的计算架构:设计方法和电路技术。