首页> 中国专利> 量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法

量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法

摘要

本发明提供了量子点单光子源、制备方法及其器件的制备方法。所述量子点单光子源包括:衬底、缓冲层、和/或DBR反射层、吸收层、有源层、盖层、量子点阵列;所述缓冲层设置于所述衬底上;所述DBR反射层设置于所述缓冲层上;所述吸收层设置于所述DBR反射层上;所述有源层设置于所述吸收层上;所述盖层设置于所述有源层上;所述量子点阵列通过刻蚀所述盖层和所述有源层得到,所述量子点阵列位于所述吸收层上。提高了量子点单光子源器件的荧光发射率,提高了制作量子点单光子源器件的成品率。

著录项

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号