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公开/公告号CN100439284C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-12-03
原文格式PDF
申请/专利权人 三星电机株式会社;
申请/专利号CN200610103953.6
发明设计人 金赞恭;许康宪;罗恩相;孙圣范;宋泰镐;郑汉胜;
申请日2006-07-28
分类号C04B35/465(20060101);H01G4/12(20060101);
代理机构11240 北京康信知识产权代理有限责任公司;
代理人李伟
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:01:40
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-12-03
授权
2007-03-28
实质审查的生效
2007-01-31
公开
机译: 用于低温烧结和耐热绝缘的介电陶瓷组合物以及使用该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器
机译: 低温烧结的高介电常数介电陶瓷组合物,使用该组合物制造的多层陶瓷电容器及其制造方法
机译:低温烧结添加硼的ZnTiO_3基陶瓷,用于多层陶瓷电容器应用
机译:使用3D X射线成像多层陶瓷电容器中的介电击穿缺陷的定位
机译:镍电极多层陶瓷电容器介电常数和残余应力的介电层数
机译:使用多层陶瓷电容器有效介电常数和元表面的渗透性
机译:使用包含陶瓷粉末的组合物进行光刻。
机译:用于多层陶瓷电容器的巨大介电材料的可能性
机译:腔室压力对多层陶瓷电容器溅射MgTiO3Films介电性能的影响
机译:用于211功率电子器件的高介电常数铁电薄膜和体陶瓷电容器