公开/公告号CN111497366B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-15
原文格式PDF
申请/专利权人 上海交通大学;
申请/专利号CN202010268544.1
申请日2020-04-07
分类号B32B9/00(20060101);B32B9/04(20060101);B32B27/28(20060101);B32B33/00(20060101);B32B37/06(20060101);B32B38/10(20060101);C01B32/194(20170101);G02B5/18(20060101);
代理机构31201 上海交达专利事务所;
代理人王毓理;王锡麟
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2022-08-23 11:57:31
机译: 用于生产分层褶皱的连续薄膜打褶装置以及用于生产无褶皱区域的装置
机译: 无催化剂的低温基质生长石墨烯的制备方法,无催化剂的低温基质生长石墨烯和无催化剂的低温基质生长的石墨烯制造装置
机译: 无催化剂的低温基质生长石墨烯的制备方法,无催化剂的低温基质生长石墨烯和无催化剂的低温基质生长的石墨烯制造装置