首页> 中国专利> 一种高储能密度温度稳定性PLZT反铁电陶瓷材料及其制备方法

一种高储能密度温度稳定性PLZT反铁电陶瓷材料及其制备方法

页面导航

摘要
著录项
相似文献

摘要

本发明公开一种高储能密度温度稳定性PLZT反铁电陶瓷材料及其制备方法。所述PLZT反铁电陶瓷材料的化学组成为Pb_1‑1.5xLa_xZr_1‑_yTi_yO₃，其中，0.10≤x≤0.15，0≤y≤0.08。

著录项

公开/公告号CN111499384B

专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-15

原文格式PDF
申请/专利权人中国科学院上海硅酸盐研究所;
展开▼

申请/专利号CN202010272675.7
发明设计人闫世光;曹菲;陈学锋;王根水;董显林;
展开▼

申请日2020-04-09
分类号C04B35/50(20060101);C04B35/491(20060101);C04B41/81(20060101);
代理机构31261 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);
代理人郑优丽;牛彦存
地址 200050 上海市长宁区定西路1295号
入库时间 2022-08-23 11:57:31

相似文献

专利
中文文献
外文文献

1. 一种高储能密度温度稳定性PLZT反铁电陶瓷材料及其制备方法 [P] . 中国专利： CN111499384B . 2021.06.15
2. 一种高储能密度PLZT基反铁电陶瓷材料及其制备方法和应用 [P] . 中国专利： CN109665839B . 2022.03.04
3. Transparent plzt - a ceramic material and process for their preparation [P] . 德国专利： DE4105992A1 . 1991-08-29

机译：透明PLZT-一种陶瓷材料及其制备方法
4. A COMPOSITION OF ELASTOMERIC BLOCK COPOLYMERS BASED ON HIGH CONTENT BUTADIEN BASES AND MIXTURES, "The present invention relates to a composition of matter consisting of a polymer of the nature of rubber, which is selected from the group consisting of I a block copolymer of a high content copolymer of high vnyl transpolymer II a mixture of a high trans copolymer and a high vinyl polymer and III a combination or mixture of a block copolymer of a high-vinyl high-trans-polymer copolymer,a high trans copolymer and a high vinyl polymer. a.- wherein the high trans content copolymer is a butadiene-1,3 copolymer, and at least one copolymerizable monomer that is selected from the group consisting of styrene and isoprene, has a glassy state transition temperature of less from about 75 to 85 percent of trans units and no more than about 8 percent of vinyl units in butadiene segments,and constitutes approximately 25 to 80 percent by weight of the composition. b.- wherein the high vinyl polymer is a [P] . MX166801B . 1993-02-08

机译：基于高含量丁二烯基和混合物的弹性嵌段共聚物的组合物，“本发明涉及由橡胶性质的聚合物组成的物质组合物，所述聚合物选自由以下组成的组：高嵌段共聚物。高乙烯基共聚物的高含量共聚物II高反共聚物和高乙烯基聚合物的混合物，以及III高乙烯基高反聚物共聚物，高反共聚物和高乙烯基聚合物的嵌段共聚物的组合或混合物a.-其中高反式含量的共聚物是丁二烯-1,3共聚物，并且至少一种选自苯乙烯和异戊二烯的可共聚单体的玻璃态转变温度小于约75-85。在丁二烯链段中，反式单元的百分数为反式单元，乙烯基单元的百分数不超过约8％，并且占组合物重量的约25％至80％。
5. Method of bistable optical information storage using antiferroelectric phase PLZT ceramics [P] . 美国专利： US4945514A . 1990-07-31

机译：使用反铁电相PLZT陶瓷进行双稳态光学信息存储的方法