{001}晶面可控暴露的二氧化钛光电极的制备及应用

摘要

本发明涉及{001}晶面可控暴露的二氧化钛光电极的制备及应用，以钛板为钛源，以氢氟酸为封端剂，通过水热方法在钛基底上原位生长TiO₂花状微球结构，其{001}晶面暴露比为0％～100％，制备得到的{001}TiO₂/Ti光电极可以应用在邻苯二甲酸二甲酯废水光电催化氧化降解中。与现有技术相比，本发明制备的{001}晶面可控暴露的{001}TiO₂/Ti光电极具有高效的光电催化性能(光电流密度最高达到0.74mA/cm²)，在8小时内对浓度为5mg/L的邻苯二甲酸二甲酯去除率最高可达到94.3％。这一电极材料和技术适用于邻苯二甲酸酯类污染物的光电催化降解领域。