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公开/公告号CN110737539B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-06-04
原文格式PDF
申请/专利权人 美光科技公司;
申请/专利号CN201910432583.8
发明设计人 里什米·巴苏;
申请日2019-05-23
分类号G06F11/07(20060101);G06F11/10(20060101);G06F3/06(20060101);
代理机构11287 北京律盟知识产权代理有限责任公司;
代理人王龙
地址 美国爱达荷州
入库时间 2022-08-23 11:54:04
机译: 包括第一级裸片,背对背堆叠的第二级裸片和第三级裸片并具有相应的第一,第二和第三再分布层的垂直堆叠的系统及其制造方法
机译: 通过错误的多数确定通过三向裸片对裸片比较检测缺陷
机译:III-V晶片,裸片和多个裸片的超薄DVS-BCB粘合剂将其粘合到图案化的绝缘体上硅衬底
机译:提取具有多种几何形状且存在裸片到裸片线宽变化的低k介电击穿的故障率的方法
机译:薄膜与浆糊:适用于堆叠式裸片应用的裸片附着选项
机译:裸露的裸片大体对裸片尺寸比晶圆级封装技术的发展
机译:在引线键合技术中,研究低k裸片上直径为0.8密耳(20微米)的金键合引线的球形键合完整性。
机译:降低系统总开销的两级增量检查点恢复方案
机译:裸片堆叠系统级封装设计中的焊盘分配
机译:针对425 mHz和双频段(425和900 mHz)的优化(第二通道)砷化镓(Gaas)集成电路射频(RF)增强器设计的裸片测试结果