一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法

摘要

本发明公开了一种三维集成芯片的空气桥结构保护方法，其主要步骤有：清洗待键合芯片；在待键合芯片正面制作电镀种子层；在待键合芯片种子层上光刻出保护阵列图形；利用光刻好的图形电镀出空气桥结构保护阵列；去除光刻胶，清洗待键合芯片；去除电镀种子层；再次清洗待键合芯片；进行键合集成工艺。本发明在不影响芯片性能的前提下，通过二次电镀工艺在微波芯片正面制备一层微凸点阵列，形成空气桥的保护结构，使得键合过程中对芯片正面施加的压力不会作用在空气桥结构上，避免其被压断，有效提高三维集成芯片的成品率和可靠性。