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应用于近场扫描微波显微镜的扫描区域平面纠斜的方法

摘要

一种近场扫描微波显微镜的扫描区域平面纠斜的方法,属于薄膜材料测试技术领域。本发明通过三点测试法,仅需测试三点处针尖与薄膜接触时,位移台在z轴上的移动距离,即可确定待测样品斜面的平面方程并得到面内各点z轴的坐标值,进而控制每一扫描点处针尖‑样品表面的距离保持一致,有效解决了测量时的样品平面倾斜影响测量结果准确性的问题,消除了样品倾斜放置所导致的测量结果误差。

著录项

  • 公开/公告号CN110596428B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-06-01

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201910768066.8

  • 发明设计人 彭斌;黄和;鞠量;曾慧中;张万里;

    申请日2019-08-20

  • 分类号G01Q60/00(20100101);G01Q10/00(20100101);G01Q80/00(20100101);G01N22/00(20060101);

  • 代理机构51203 电子科技大学专利中心;

  • 代理人吴姗霖

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 11:52:45

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