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公开/公告号CN112064113B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-25
原文格式PDF
申请/专利权人 新余学院;
申请/专利号CN202011138223.6
发明设计人 饶森林;张发云;熊含梦;丁俊玲;罗玉峰;陈小会;王发辉;胡云;
申请日2020-10-22
分类号C30B29/06(20060101);C30B28/06(20060101);
代理机构36129 南昌金轩知识产权代理有限公司;
代理人孙文伟
地址 338000 江西省新余市高新区阳光大道2666号
入库时间 2022-08-23 11:49:50
机译: 具有掺杂有杂质的多晶硅层中的具有杂质扩散防止层的半导体器件和使用相同杂质的DRAM器件,能够防止掺杂有多晶硅的杂质中的杂质扩散
机译: 多晶硅精炼炉,可以通过在容器的一侧安装真空部件来消除空气中的杂质,从而减少多晶硅中的杂质量
机译: 多晶硅:硅CMP处理高密度DRAM存储器单元结构-包括沉积第一和第二绝缘层,第一和第二多晶硅:第三绝缘层,去除多余的第二多晶硅:和第三绝缘层,形成电介质并沉积第三多晶硅:硅
机译:石英坩埚的氮化硅涂层对铸锭多晶硅中杂质分布的影响
机译:光伏级铸锭多晶硅中的过渡金属:评估杂质在氮化硅坩埚内衬材料中的作用
机译:多晶硅定向凝固铸锭炉热场改进数值模拟研究
机译:重新评估C-Si晶体生长中的杂质水平:对杂质减少的铸锭的注意事项,杂质更高的细胞效率
机译:多晶硅中的轻元素杂质。
机译:进行了一些试验以便于从膀胱中去除结石-用手指挤压-着陆网
机译:冶金方法的耦合去除太阳能级多晶硅杂质的杂质
机译:一种从三氯化硼中去除光气杂质的方法