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一种基于双极性RRAM的非易失性触发器

摘要

本发明涉及触发器相关设备领域,尤其涉及一种基于双极性RRAM的非易失性触发器,如摘要附图所示,由PMOS晶体管1、PMOS晶体管2、PMOS晶体管3、PMOS晶体管4、PMOS晶体管5、NMOS晶体管1、NMOS晶体管2、NMOS晶体管3、NMOS晶体管4、NMOS晶体管5、限流电阻R1、限流电阻R2、限流电阻R3、限流电阻R4、参考电阻R5、反相器1、反相器2、反相器3、反相器4、阻变随机存储器RRAM组成,输入端有电源VDD、地GND、输入数据D和输入时钟PK,输出端为输出数据Q。本发明的基于双极性RRAM的非易失性触发器,解决了传统触发器在断电后数据不能保存,恢复供电后之前存储的数据不能恢复的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN112652342B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江威固信息技术有限责任公司;

    申请/专利号CN202110271185.X

  • 发明设计人 吴佳;李礼;吴叶楠;

    申请日2021-03-12

  • 分类号G11C13/00(20060101);

  • 代理机构31354 上海氦闪专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人李明;袁媛

  • 地址 313200 浙江省湖州市德清县阜溪街道双山路136号7幢402号

  • 入库时间 2022-08-23 11:49:47

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