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一种处理向NVM写入数据的写命令的方法和设备

摘要

本申请提供一种处理向NVM写入数据的写命令的方法,其中提供缓存单元,所述缓存单元包括第一部分和第二部分,该方法包括:接收第一写命令;响应于所述第一写命令对应的数据被写入缓存单元的第一部分,向主机发送指示第一写命令处理完成的第一消息。本申请公开的技术方案至少能够降低“小写”命令带来的延迟,提升处理效率。

著录项

  • 公开/公告号CN108228470B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京忆恒创源科技有限公司;

    申请/专利号CN201611193448.5

  • 发明设计人 孙清涛;殷雪冰;

    申请日2016-12-21

  • 分类号G06F12/02(20060101);

  • 代理机构11572 北京卓特专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人段宇

  • 地址 100192 北京市海淀区西小口路66号中关村东升科技园B-2号楼三层A302/303/305/306/307室

  • 入库时间 2022-08-23 11:49:33

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