声明
摘要
1.1 背景介绍
1.2 研究现状
1.2.1 基于PCM的非易失性主存研究
1.2.2 基于STT-MRAM的非易失性片上缓存研究
1.3 研究意义
1.4 论文组织结构
2.1 相变存储器
2.1.1 单级单元相变存储器
2.1.2 多级单元相变存储器
2.1.3 多级单元相变存储器的读写
2.1.4 多级单元相变存储器的能耗模型
2.2 自旋转移矩磁存储器
2.2.1 单级单元自旋转移矩磁存储器
2.2.2 多级单元自旋转矩移磁存储器
2.2.3 多级单元自旋转矩移磁存储器的读写
2.2.4 多级单元自旋转矩移磁存储器的能耗模型
2.3 小结
第3章 状态重映射策略
3.1 动态状态重映射
3.2 静态状态重映射
3.4 获取Mapping Type算法
3.5 实例分析
3.6 硬件实现
3.7 小结
4.1 实验设置
4.2 MLC PCM能耗模型下的实验结果
4.2.1 写能耗
4.2.2 写次数统计
4.3 MLC STT-MRAM能耗模型下的实验结果
4.3.1 写能耗
4.3.2 写次数统计
4.4 改变Cache容量以及Cache line宽度时对本文策略的影响
4.4.1 改变Cache line宽度
4.4.2 改变Cache容量
4.5 小结
5.1 总结
5.2 展望
参考文献
致谢
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