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公开/公告号CN110311608B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-18
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江工业大学;
申请/专利号CN201910352160.5
发明设计人 吴春;陈科;南余荣;
申请日2019-04-29
分类号H02P21/05(20060101);H02P21/18(20160101);H02P25/026(20160101);H02P27/08(20060101);
代理机构33241 杭州斯可睿专利事务所有限公司;
代理人王利强
地址 310014 浙江省杭州市下城区朝晖六区潮王路18号
入库时间 2022-08-23 11:49:00
机译: 通过可独立控制多栅极晶体管的阈值电压特性的角注入来控制鳍式晶体管的阈值电压的方法
机译: 一种通过倾斜-外离子注入角在eeprom闪速电池中形成外来离子过渡区的方法。
机译: 一种使用具有多个次级绕组的变压器进行动态潮流控制的电压或阻抗注入方法
机译:基于铁损少的高频方波电压注入的永磁同步电机无传感器转子位置估计新方法
机译:高频方波注入无传感器驱动调节注入高频电流纹波的注入电压干扰
机译:具有高鲁棒性的电压误差PMSM无位置传感器控制的方波电压注入算法
机译:基于高频方波电压注入的表面安装式永磁同步电机低速运行的无传感器控制
机译:一种双馈感应电机无传感器控制的高频注入新方法。
机译:基于LabVIEW的顺序注入分析系统用于在汞膜电极上通过方波阳极和吸附溶出伏安法测定痕量金属
机译:一种新的广义高频电压注入方法和阳光PMSM无传感器驱动的镜相估计方法
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