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公开/公告号CN111190454B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-14
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN202010130680.4
发明设计人 李福乐;周喆;
申请日2020-02-28
分类号G05F1/567(20060101);
代理机构44311 深圳市鼎言知识产权代理有限公司;
代理人曾昭毅;郑海威
地址 100084 北京市海淀区北京100084-82信箱
入库时间 2022-08-23 11:47:30
机译: 开关电容器,曲率补偿带隙基准电压源
机译: 曲率补偿带隙基准电压源
机译:CMOS带隙基准电压源的无电阻BJT偏置和曲率补偿电路(3.4nW)
机译:具有自动曲率补偿技术的高精度带隙基准电压源
机译:高PSRR高阶曲率补偿CMOS带隙基准电压源
机译:具有65nm CMOS工艺的MOS晶体管曲率补偿的高精度带隙基准电压源
机译:高温SOI CMOS带隙基准电压源
机译:卤化铋的低温合成:候选光伏材料轻松可连续控制的带隙
机译:最新高级低压低温度系数CMOS带隙基准电压源的设计考虑
机译:用于低温辐射器的低带隙热光伏锑化物电池的性能限制