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公开/公告号CN109440212B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 五邑大学;
申请/专利号CN201811436865.7
发明设计人 叶冬冬;邹捷;
申请日2018-11-28
分类号D01F2/00(20060101);D01F1/10(20060101);D01D5/06(20060101);
代理机构44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司;
代理人李增隆
地址 529000 广东省江门市东成村22号
入库时间 2022-08-23 11:46:47
机译: 高取向FePt磁记录介质,使用高取向FePt磁记录介质的热辅助磁记录装置以及高取向FePt磁记录介质的制造方法
机译: 提供高取向和高倾斜角度的光学取向膜,以及使用相同取向的液晶显示元件
机译: 具有高取向性和高预倾角的光取向膜及其制造液晶显示元件的方法
机译:高取向还原氧化石墨烯和高各向异性热导率的铜还原氧化石墨烯复合材料的新制备方法
机译:FePc诱导的高取向应力稳定性的高取向PIID-BT共轭聚合物半导体
机译:具有高取向(0001)取向的织构化多晶结构的高霍尔迁移率铝掺杂ZnO薄膜
机译:高功率密度液压强韧电机的开发及其在七轴机械臂上的应用
机译:考虑到层取向和表面光洁度效果,激光束粉床融合的非常高的循环疲劳行为融合了718
机译:具有良好取向(0001)取向的具有织构化多晶结构的高霍尔迁移率铝掺杂ZnO薄膜
机译:微波激发和高取向热解石墨中二维电子系统的磁输运。