公开/公告号CN110491437B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-11
原文格式PDF
申请/专利权人 慧荣科技股份有限公司;
申请/专利号CN201910390931.X
发明设计人 施伯宜;
申请日2019-05-10
分类号G11C16/34(20060101);
代理机构44223 深圳新创友知识产权代理有限公司;
代理人江耀纯
地址 中国台湾新竹县
入库时间 2022-08-23 11:46:25
机译: 先进先出集成电路存储器,利用动态随机存取存储器阵列进行数据存储,并结合相关的静态随机存取存储器高速缓存来实现
机译: 包括电阻随机存取存储器的存储装置以及将数据存储在电阻随机存取存储器中的存储方法
机译: 深度神经网络和机器学习应用的静态随机存取存储器(SRAM)单元及相关SRAM阵列