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二极管激光阵列外腔锁相幅度补偿元件及其制备方法

摘要

本发明涉及一种二极管激光阵列外腔锁相幅度补偿元件及其制备方法,属于半导体激光器的锁相技术领域。本发明是根据二极管激光阵列外腔锁相时在1/4或1/2Talbot平面上同相模的分布进行设计,设计的幅度补偿元件为具有周期性狭缝的物体,狭缝的数目大于或者等于该平面上同相模的数目,狭缝的宽度与该平面上同相模的半高宽度相同,狭缝的周期与该平面上同相模分布的周期相同。本发明用于在大电流(I>20A)的情况下,大功率的二极管激光阵列在外腔锁相中选择同相模、增强同相模的输出功率。

著录项

  • 公开/公告号CN100440653C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-12-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 北京工业大学;

    申请/专利号CN200610081229.8

  • 发明设计人 李强;赵鹏飞;郭渭荣;

    申请日2006-05-26

  • 分类号H01S5/065(20060101);H01S5/40(20060101);H01S5/00(20060101);

  • 代理机构11203 北京思海天达知识产权代理有限公司;

  • 代理人张慧

  • 地址 100022 北京市朝阳区平乐园100号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2013-07-17

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/065 授权公告日:20081203 终止日期:20120526 申请日:20060526

    专利权的终止

  • 2008-12-03

    授权

    授权

  • 2007-02-14

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2006-12-13

    公开

    公开

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