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自举D类宽带RF功率放大器

摘要

一种高功率高频率射频功率放大器包括输出级和单相驱动器。输出级被设置为D类放大器配置,并且包括:第一耗尽型场效应晶体管(FET)、第二耗尽型FET、以及将输出级的输出联接到第二FET的栅极的自举路径。第一耗尽型FET和第二耗尽型FET在单相驱动器的引导下被切换为异相且在完全导通(ON)与完全截止(OFF)状态之间切换。单相驱动器直接控制第一耗尽型FET的导通/截止状态,并且提供放电路径,通过该放电路径,输出级中的第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以放电,以截止第二耗尽型FET。自举路径提供电流路径,通过该电流路径,第二耗尽型FET的输入栅极电容器可以充电,以导通第二耗尽型FET。

著录项

  • 公开/公告号CN107735944B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-07

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 艾尔丹通信设备公司;

    申请/专利号CN201680038029.6

  • 发明设计人 Q·迪达克;

    申请日2016-04-20

  • 分类号H03F3/193(20060101);H03F3/189(20060101);H03F3/217(20060101);H03K17/687(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人吕俊刚;杨薇

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 11:45:51

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