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公开/公告号CN111130645B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-07
原文格式PDF
申请/专利权人 浙江大学;
申请/专利号CN201911336358.0
发明设计人 马佳超;储涛;
申请日2019-12-23
分类号H04B10/516(20130101);H04B10/54(20130101);H04B10/548(20130101);H04B10/564(20130101);
代理机构33200 杭州求是专利事务所有限公司;
代理人陈升华
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号
入库时间 2022-08-23 11:45:04
机译: 半导体马赫曾德尔型光调制器,光传输装置,半导体马赫曾德尔型光调制器的半导体马赫曾德尔型光调制器的制造方法和驱动方法
机译: 制造马赫曾德尔调制器的方法,马赫曾德尔调制器
机译: 电光马赫曾德尔调制器和制造电光马赫曾德尔调制器的方法
机译:马赫曾德尔电光强度调制器脉冲应用中的偏置电压控制
机译:使用减少带宽单臂马赫曾德尔调制器的10 Gb / s光双二进制传输的性能限制,考虑了残留线性调频和直流偏置偏移
机译:电光马赫曾德尔调制器偏置稳定的非水平采样方法
机译:高消光比线性马赫雷达光学马赫曾德尔强度调制器的调制器偏置优化
机译:使用串联马赫曾德尔调制器的W波段OCDMA覆盖WDM光纤覆盖系统的毫米波光子产生
机译:基于硅光子晶体的慢光马赫曾德尔调制器
机译:基于双电极马赫 - 曾德尔调制器的双频光纤梳状发生器的特性
机译:低压,高速,推挽和行波硅马赫 - 曾德尔调制器的特性和性能比较。