公开/公告号CN100431134C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-11-05
原文格式PDF
申请/专利权人 海力士半导体有限公司;
申请/专利号CN200410104177.2
发明设计人 朴昌洙;
申请日2004-12-30
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人王学强
地址 韩国京畿道
入库时间 2022-08-23 09:01:32
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-02-25
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/768 授权公告日:20081105 终止日期:20131230 申请日:20041230
专利权的终止
2008-11-05
授权
授权
2006-01-11
实质审查的生效
实质审查的生效
2005-11-16
公开
公开
机译: 通过氮化金属层以形成阻挡金属层,并通过掩埋接触开口在阻挡金属层上形成金属互连线来在半导体器件中制造金属互连线
机译: 使用低温形成的阻挡金属层形成金属互连线的方法
机译: 利用低温形成的阻挡金属层制造金属互连线的方法