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基于铌酸锂-硅晶圆的高速低电压电光调制器

摘要

一种基于铌酸锂‑硅晶圆的高速低压电光调制器,硅晶圆位于铌酸锂晶圆上方,通过刻蚀硅波导,形成铌酸锂‑硅混合波导,通过改变硅波导的结构使得光波在铌酸锂‑硅混合波导中具有不同的能量分布。当硅波导中具有更多的能量分布时,适用于实现紧凑的分波功能、合波功能与热光调制功能;当铌酸锂波导中具有更高的能量分布时,适用于实现高速、低电压的电光调制功能。本发明分别发挥了铌酸锂和硅材料平台的优势,适用于高速低电压的电光调制。

著录项

  • 公开/公告号CN111175999B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;北京大学;

    申请/专利号CN202010111302.1

  • 发明设计人 邹卫文;王静;徐绍夫;王兴军;

    申请日2020-02-24

  • 分类号G02F1/03(20060101);G02F1/035(20060101);G02F1/21(20060101);

  • 代理机构31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);

  • 代理人张宁展

  • 地址 200240 上海市闵行区东川路800号

  • 入库时间 2022-08-23 11:43:44

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