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公开/公告号CN111175999B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-05-04
原文格式PDF
申请/专利权人 上海交通大学;北京大学;
申请/专利号CN202010111302.1
发明设计人 邹卫文;王静;徐绍夫;王兴军;
申请日2020-02-24
分类号G02F1/03(20060101);G02F1/035(20060101);G02F1/21(20060101);
代理机构31317 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人张宁展
地址 200240 上海市闵行区东川路800号
入库时间 2022-08-23 11:43:44
机译: 基于铌酸锂 - 硅晶片的高速低压电光调制器
机译: 基于硅基铌酸锂膜电光调制器阵列及其集成方法
机译: 高速,基于硅的电光调制器
机译:透明导电材料驱动的高速超低电压GaAs电光调制器的建模与设计
机译:超高速蚀刻和未蚀刻铌酸锂电光调制器的微波性能优化
机译:高速光子网络中具有非归零(NRZ)编码的基于LiNbO3的电光调制器的最新进展
机译:低电压,中等排斥比电光调制器AT2.2GM通过质子交换在铌酸锂中获得
机译:基于高速III-V半导体的电光调制器。
机译:超低相位噪声毫米波信号发生器辅以基于电光调制器的光学频率梳
机译:基于Pinip的高速高消光比微米尺寸硅电光调制器
机译:基于混合光子晶体/聚合物/溶胶 - 凝胶技术的高速,低电压,微型电光调制器。