一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合参数的方法

摘要

本发明的一种独立调控半导体量子阱自旋轨道耦合参数的方法属于半导体自旋电子学技术领域。具体步骤包括：选用非对称掺杂和具有可控金属栅极的半导体量子阱样品；将步骤样品装进活塞套筒型电测量高压腔，对样品施加压力和栅极电压；利用反弱局域化测量得到Rashba和Dresselhaus自旋轨道耦合参数，通过同时调节压力和栅极电压实现两种自旋轨道耦合参数的独立调控。本发明提供的调控半导体量子阱自旋轨道耦合强度参数的方法可行性高，而且可以原位进行，不需要制备新的样品，能够分别实现两种参数的独立调控，调控效果显著。