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公开/公告号CN111690982B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-30
原文格式PDF
申请/专利权人 北京大学;
申请/专利号CN201910179967.3
发明设计人 刘开辉;张志斌;俞大鹏;王恩哥;
申请日2019-03-11
分类号C30B29/02(20060101);C30B25/10(20060101);C30B25/18(20060101);
代理机构11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司;
代理人苏爱华
地址 100871 北京市海淀区颐和园路5号
入库时间 2022-08-23 11:42:40
机译: 一种利用外延层生长的硅单晶衬底的制造方法(制造用于外延层生长的单晶衬底的方法)
机译: 用相同的方法制造大尺度单晶硅单层正硼氮化物和单晶基质金属生长石墨烯的hBN方法和装置
机译:通过“ Gettering”铜箔背面的碳扩散来调节表面多层/单晶石墨烯的生长
机译:铜箔表面单晶化在自由分子流下快速生长大单晶石墨烯
机译:通过在钼基底上使用固定铜箔的无缝缝线快速生长大面积单晶石墨烯膜
机译:一种形成具有精确厚度的薄单晶硅膜片的新颖方法,可用于利用合并的外延横向过生长来制造微机械传感器
机译:化学气相沉积法在单晶铜表面上生长外延石墨烯
机译:环流化学气相沉积法在铜箔上生长毫米级单晶石墨烯
机译:钨单晶的制备与性能。第一部分单晶钨的生长用于轧制单晶板。第二部分。卷式单晶钨板