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射频频段低温低噪声放大器

摘要

本发明公开了属于射频技术放大器领域中的一种射频低温低噪声放大器。其放大电路按照连接晶体管的不同管脚分为输入匹配网络、输出匹配网络和负反馈网络。本发明可以降低超导接收机前端的整体噪声,实现超导接收机前端的高灵敏度,并且具有驻波比小,体积小,在整个频段,真空低温下长期稳定工作。应用于CDMA频段放大器指标为:输入电压驻波比<1.3,输出电压驻波比<2.5,噪声系数<0.3dB,并在72K下长期稳定工作。

著录项

  • 公开/公告号CN100428625C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-10-22

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 清华大学;

    申请/专利号CN200410074736.X

  • 申请日2004-09-14

  • 分类号H03F1/26(20060101);H03F3/189(20060101);

  • 代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;

  • 代理人李光松

  • 地址 100084 北京市100084-82信箱

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:30

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2008-10-22

    授权

    授权

  • 2005-05-04

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-03-02

    公开

    公开

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