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公开/公告号CN100428625C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-10-22
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN200410074736.X
发明设计人 曹必松;张晓平;王凡;郜龙马;高葆新;
申请日2004-09-14
分类号H03F1/26(20060101);H03F3/189(20060101);
代理机构11246 北京众合诚成知识产权代理有限公司;
代理人李光松
地址 100084 北京市100084-82信箱
入库时间 2022-08-23 09:01:30
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-10-22
授权
2005-05-04
实质审查的生效
2005-03-02
公开
机译: 多频段低噪声放大器和多频段射频接收器
机译: 频段优化的射频开关低噪声放大器
机译: 用于多模式和多频段射频接收器的电压负反馈低噪声放大器
机译:适用于ISM频段应用的8mW 17/24 GHz双频段CMOS低噪声放大器
机译:适用于Ism频段的8 Mw 17/24 Ghz双频段Cmos低噪声放大器
机译:用于射频前端的紧凑型宽带和多频段低温共烧陶瓷组件的最新结果
机译:GaAs MESFET在低温低噪声放大器中实现低温低噪声放大器在低温低温下
机译:低功率射频低噪声放大器和功率放大器的设计。
机译:宽带低温微波低噪声放大器
机译:X频段应用中Combline带通滤波器的低噪声放大器性能分析
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC