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具有激光熔丝的集成电路及其形成方法

摘要

本发明提供了一种具有激光熔丝的集成电路及其形成方法,其结构包括:衬底;形成于所述衬底上的层间介质层;位于所述层间介质层上的缓冲层;以及,形成于所述缓冲层上的激光熔丝。即,由于所述激光熔丝和层间介质层之间设置有一缓冲层,从而在执行激光修调工艺时,避免了所述激光熔丝所产生的机械应力和热应力直接作用于层间介质层上,从而可有效改善所述层间介质层中产生裂纹的问题。

著录项

  • 公开/公告号CN106876326B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;

    申请/专利号CN201710079123.2

  • 发明设计人 吴亚贞;

    申请日2017-02-14

  • 分类号H01L21/768(20060101);H01L23/525(20060101);H01L23/532(20060101);

  • 代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

  • 入库时间 2022-08-23 11:41:12

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