公开/公告号CN106876326B
专利类型发明专利
公开/公告日2021-04-23
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华虹宏力半导体制造有限公司;
申请/专利号CN201710079123.2
发明设计人 吴亚贞;
申请日2017-02-14
分类号H01L21/768(20060101);H01L23/525(20060101);H01L23/532(20060101);
代理机构31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人屈蘅
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
入库时间 2022-08-23 11:41:12
机译: 具有反熔丝装置的集成电路及其形成方法
机译: 具有反熔丝装置的集成电路及其形成方法
机译: 具有电熔丝的集成电路及其形成方法