浸没式光刻工艺中晶圆表面残水缺陷的改善方法

摘要

本发明提供一种浸没式光刻工艺中晶圆表面残水缺陷的改善方法，确定晶圆表面残水缺陷的位置分布；根据晶圆表面残水缺陷的位置分布在相对应的曝光单元中设置虚拟曝光单元，通过虚拟曝光单元改变曝光路径，将浸没头携带的超纯水与晶圆表面的残水相接触，去除晶圆表面的残水。本发明能够去除晶圆表面的残水，降低了残水缺陷产生的概率，消除了晶圆表面残水缺陷对光刻质量造成的影响，保证了晶圆光刻质量，提高了半导体器件的良率。