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一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法

摘要

本发明公开了一种基于IBIS模型模拟系统级封装剂量率效应的方法,别是瞬时剂量率效应。利用系统级封装内部不同子芯片的IBIS模型和版图布线的电气特性,通过信号完整性仿真检测各集成电路中敏感引脚、敏感网络和信号响应;并给出了评估瞬时剂量率效应导致的辐射脉冲在系统级封装内不同子芯片之间的传播的一般方法。本方法将在IBIS模型的基础上,实现瞬时电流信号传递的较高精度模拟,同时巧妙地避开了SPICE模型因包含了芯片详细的内部信息而不便公开以至于难以获得的困难以及仿真速度慢的情况。

著录项

  • 公开/公告号CN110750949B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN201910704149.0

  • 申请日2019-07-31

  • 分类号G06F30/367(20200101);G06F30/32(20200101);G06F113/18(20200101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人郭瑶

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁西路28号

  • 入库时间 2022-08-23 11:39:53

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