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一种用于三结砷化镓外延层表面平整化处理的工艺方法

摘要

本发明涉及一种用于三结砷化镓外延层表面平坦化处理的工艺方法,配制两种抛光液后,将晶片放置于压块上粘贴的无蜡垫内;三结砷化镓外延层面贴紧抛光盘上的阻尼布,执行自查程序,查看压块和晶片的自旋状况;自查程序执行结束后,施加第一种抛光液,执行第一段抛光程序;第一段程序结束后,关闭第一种抛光液,施加第二种抛光液,同时执行第二段程序;第二段程序结束后,关闭抛光液,从压块上粘贴的无蜡垫内取出晶片,放入白花篮中进行清洗。技术效果是解决了目前三结砷化镓外延层无法在保证表面质量的前提下达到1µm整体平整度和3nm以下表面粗糙度的问题,可以有效地提高三结砷化镓外延层表面平整度,降低表面粗糙度,提高键合效果。

著录项

  • 公开/公告号CN110695842B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2021-04-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201911060784.6

  • 发明设计人 李穆朗;张雁敏;曹志颖;王东兴;

    申请日2019-11-01

  • 分类号B24B37/10(20120101);B24B37/04(20120101);B24B57/02(20060101);C09G1/04(20060101);

  • 代理机构12105 天津中环专利商标代理有限公司;

  • 代理人胡京生

  • 地址 300220 天津市河西区洞庭路26号

  • 入库时间 2022-08-23 11:38:26

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