公开/公告号CN100416789C
专利类型发明授权
公开/公告日2008-09-03
原文格式PDF
申请/专利权人 因芬尼昂技术股份公司;
申请/专利号CN200510076509.5
发明设计人 M·科伯;
申请日2005-06-06
分类号
代理机构中国专利代理(香港)有限公司;
代理人程天正
地址 德国慕尼黑
入库时间 2022-08-23 09:01:23
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2008-09-03
授权
授权
2006-03-08
实质审查的生效
实质审查的生效
2006-01-18
公开
公开
机译: 分离介电材料包括:使用第一和第二前体在衬底的导电部分上形成第一层,以及使用第一和第三前体在第二层上形成第二层。
机译: 制备包括衬底的复合材料的方法,第一化合物气相沉积在衬底上,形成第一层,第二层通过蒸气三嗪化合物层沉积在第一衬底上,其中对第一层进行阶梯式负载力学。
机译: 场效应晶体管的制造包括从下衬底层的上表面形成桥形第三有源区,以及连接由上衬底层形成的第一和第二有源区。