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一种提高印刷碳纳米管薄膜场发射稳定性的阴极制备方法

摘要

本发明公开了一种提高印刷碳纳米管薄膜场发射稳定性的阴极制备方法,其特征在于,该方法对银浆印刷层和碳纳米管印刷层进行共烧结处理来增加印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的接触面积,进而改善印刷碳纳米管薄膜和导电衬底之间的欧姆接触和热传导性能,并使采用共烧结阴极制造的场发射显示器在高亮度下的发光稳定性及寿命较普通阴极器件显著提高。

著录项

  • 公开/公告号CN100416740C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2008-09-03

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 西安交通大学;

    申请/专利号CN200510041679.X

  • 发明设计人 朱长纯;曾凡光;刘兴辉;刘卫华;

    申请日2005-02-03

  • 分类号H01J9/02(20060101);

  • 代理机构61200 西安通大专利代理有限责任公司;

  • 代理人李郑建

  • 地址 710049 陕西省西安市咸宁路28号

  • 入库时间 2022-08-23 09:01:23

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-04-18

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01J 9/02 授权公告日:20080903 终止日期:20110203 申请日:20050203

    专利权的终止

  • 2008-09-03

    授权

    授权

  • 2005-11-23

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2005-09-21

    公开

    公开

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